本报讯 （记者曹琦）据江西联创超导技术有限公司（以下简称“联创超导”）官微消息，近日公司“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”顺利召开。由中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目展开全面评估，并一致认为该技术填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。

针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用首次将高温超导磁体技术应用于磁控直拉单晶生长，研制出高温超导磁控硅单晶生长装备，形成了大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长工艺，实现了大尺寸（12吋以上）高品质硅单晶的生产，经济和社会效益十分显著。高温超导磁控硅单晶生长装备可将硅片含氧量稳定控制在5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%，目前已拉出直径达340mm的高品质硅棒。

甘子钊院士在会议中指出：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做了很多开创性的工作，开辟了超导技术产业化新赛道。”他特别提到，该技术对实现“双碳”目标具有战略意义。专家委员会认为该项目解决了磁控条件下大尺寸硅单晶生长炉高温度均匀性节能型热场设计、模块化大尺寸传导冷却高温超导磁体设计、电﹣磁﹣热﹣流体多场耦合下硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，取得了多项创新性技术成果，研制出的高温超导磁控硅单晶生长装备在生产实践中得到了应用，表明该项目总体技术水平已达国际领先。

（编辑 张伟）