金融界2025年3月22日消息,国家知识产权局信息显示,英通微半导体材料(中山)有限公司申请一项名为“引线框制作方法及引线框”的专利,公开号CN 119650431 A,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种引线框制作方法,采用先电镀后蚀刻的加工工序,先通过电镀工序在铜基板上选择性电镀形成镀层,而后再通过蚀刻工序对铜基板表面和镀层表面同时进行蚀刻,由于蚀刻溶液对铜基板的蚀刻速度大于对镀层的蚀刻速度,因此可以制作出不同蚀刻深度的蚀刻结构,由此可以实现更加复杂的线路图形的制作,并且不需要进行多次蚀刻,有利于提高引线框的加工效率。此外,也可以将第二蚀刻结构加工成较浅的凹槽以作为粗化结构使用,由此可以提高引线框的封装可靠性,且无需进行额外的粗化工序,因此也有利于提高引线框的加工效率。此外,本发明还公开了一种采用上述引线框制作方法制作形成的引线框。
天眼查资料显示,英通微半导体材料(中山)有限公司,成立于2023年,位于中山市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,英通微半导体材料(中山)有限公司专利信息1条,此外企业还拥有行政许可2个。
来源:金融界