美国旧金山当地时间4月29日上午，2025英特尔代工大会（Intel Foundry Direct Connect）正式在圣何塞开幕。在此次大会上，英特尔透露了其最新的Intel 14A制程的进展。

根据英特尔最新披露的数据显示，Intel 14A相比Intel 18A将带来15-20%的每瓦特性能提升，密度提升30%，功耗降低25-35%。

同时，Intel 14A制程及其演进版本14A-E都将会采用第二代的RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，以及全新的PowerDirect直接触点供电技术（18A是PowerVia背面供电技术），并采用High NA EUV技术进行生产。

英特尔解释称，之所以引入High NA EUV技术，是因为这样做可以提高效率，从而降低成本。如下图所示，High NA EUV一次曝光所形成的图形中的晶体管间距与常规的三次Low NA EUV曝光所形成的图形的晶体管间距相当，而且后者总共需要约40个步骤来生产该图案，显然High NA EUV技术更具效率，并可降低成本。

目前英特尔代工已与主要客户就Intel 14A 制程工艺展开合作，发送了Intel 14A PDK（制程工艺设计工具包）的早期版本。这些客户已经表示有意基于该节点制造测试芯片。相对于Intel 18A所采用的PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用PowerDirect直接触点供电技术。英特尔也计划与合作伙伴尽早提供配套的IP和EDA工具。

根据英特尔的规划，Intel 14A将会在2027年量产，量产时间可能会领先于台积电A14制程（量产时间预计为2028年底）一年。

需要指出的是，由于英特尔已经在Intel 18A制程的研发过程当中进行了大量的High NA技术的经验积累，这也使得Intel 14A在使用，Intel 14A使用High NA EUV生产良率和生产效率上有望居于优势地位。相比之下台积电的A14制程仍将会采用Low NA EUV技术，并且下一代的A14演进版本才会引入新的背面供电技术和High NA EUV技术进行制造。

编辑：芯智讯-浪客剑