华虹宏力申请半导体器件的形成方法专利，减少漏电的几率
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2025-06-03 22:20:33
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN120091581A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体基底，半导体基底包括衬底、位于衬底表面的第一栅氧化层以及位于第一栅氧化层表面的第一多晶硅层；对第一多晶硅层注入磷离子；对进行磷离子注入后的第一多晶硅层进行氧化处理，以使得第一多晶硅层形成氧化硅层；以及使用HF酸去除氧化硅层和第一栅氧化层，以露出衬底的表面。本发明通过将第一多晶硅层氧化形成氧化硅层，再使用HF酸将氧化硅层和第一栅氧化层去除，可以在去除第一多晶硅层(多晶硅材料层或者浮栅)后，使得衬底的表面变得平整了。进而使得形成的第二栅氧化层和第二多晶硅层厚度达标了，同时，后续形成的浮栅没有向衬底方向的尖端，减少了漏电的几率。
来源：金融界
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