9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。

在该系统安装的活动中，SK海力士研发部长Cha Seon Yong、制造技术部长Lee Byoungki和ASML日本SK海力士客户团队负责人Kim Byeong-Chan共同庆祝了生产下一代DRAM的设备的推出。

此举将为在全球半导体行业激烈竞争的背景下，快速开发和供应满足客户需求的尖端产品奠定基础。SK海力士旨在通过与业务合作伙伴的密切合作，提升全球供应链的可信度和稳定性。

High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。

自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。

TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA 从 0.33 提高至 0.55，提高了 40%。

通过采用新系统，SK海力士计划简化现有的EUV工艺，并加速下一代存储器的开发，从而提升产品性能和成本竞争力。该公司还旨在增强其在高价值存储器产品市场的地位，并巩固其技术领导地位。

ASML 的 Kim 表示：“High NA EUV 是一项开启半导体行业新篇章的关键技术。ASML 将与 SK 海力士紧密合作，共同推动下一代存储器的创新。”

SK海力士Cha Seon Yong表示：“我们期待关键基础设施的加入，将我们一直追求的技术愿景变为现实。我们的目标是利用快速增长的人工智能和下一代计算市场所需的尖端技术，增强我们在人工智能内存领域的领导地位。”

编辑：芯智讯-浪客剑