近日，国内半导体设备厂商接连传来利好消息，盛美上海推出首款KrF前道涂胶显影设备；中微公司亦重磅发布六大半导体设备新产品。

盛美上海方面，该公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF系统已顺利交付中国头部逻辑晶圆厂客户。

该系统的问世标志着盛美上海光刻产品系列的重要扩充，具有高产能、先进温控技术以及实时工艺控制和监测功能。

据盛美上海介绍，该设备配备12个旋涂腔和12个显影腔（12C12D），并搭载54块可精确控温的热板，支持低温、中温及高温工艺处理，具备优异的热均匀性。该设备产能超过300片晶圆/小时（WPH），并集成盛美上海专利申请中的背面颗粒去除模块（BPRV），有效降低交叉污染风险。

中微公司方面，9月4日，中微公司重磅推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。

具体来看，在刻蚀技术方面，中微公司此次发布了两款新品，CCP电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE®与Primo Menova™ 12寸ICP单腔刻蚀设备，前者为生产先进存储芯片提供了有力保障，后者则广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，该设备的全球首台机已于今年6月付运到客户认证，进展顺利。

薄膜沉积方面，此次中微公司推出了12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash®金属栅系列，涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

新兴技术领域，中微公司发布的全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。据中微公司介绍，该设备已于去年8月付运到客户进行成熟制程和先进制程验证，进展顺利。