美国功率半导体企业iDEAL Semiconductor宣布，其超高效率SuperQ™硅功率元件已正式在Polar Semiconductor投产，为美国本土供应链注入新动能。

SuperQ是硅MOSFET架构的重大突破，首次采用专利不对称RESURF结构，这种设计能让MOSFET在高电压下均匀分散电场，避免能量集中造成损耗，因此能在保持高耐压的同时，大幅降低导通电阻与切换损耗。

根据官方新闻稿，导通电阻相较传统硅降低最高2.7倍，切换损耗减少2.1倍。目前，首批150V与200V产品已进入量产，后续将扩展至300V与400V应用。Polar也正扩建明尼苏达州的200mm晶圆厂，以支援美国本土需求。

公开资料显示，iDEAL Semiconductor Devices, Inc.总部位于美国宾夕法尼亚州里海谷是一家行业领先的下一代硅功率器件开发商。公司成立的使命是将硅推向其感知极限。其专利SuperQ技术使用常规CMOS工艺实现突破性能效，而不偏离硅的可靠优势。该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为减轻每个应用的功率损耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源使用。

功率半导体是支撑电动车马达、AI资料中心服务器、再生能源电网的关键元件，因具备承受高电压与大电流的特性，能有效控制与转换电能。

（文/集邦化合物半导体整理）

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