（AI云资讯消息）三星在Exynos芯片系列中引入新封装技术已非首次，这些技术旨在提升性能、能效并降低热耗。三星公司先是在Exynos 2400上采用了扇出型晶圆级封装（FOWLP），使其成为首款应用该技术的芯片，随后又在首款2纳米GAA制程SoC的Exynos 2600中引入了热传导阻隔（HPB）技术。最新报告显示，三星正研发一种名为并排式（Sb）的全新结构，该技术将应用于未来的Exynos芯片。

通过将芯片组晶粒与动态随机存取存储器并排放置，并在两者上方覆盖热传导阻隔层，热量得以通过这两个组件更快速地散发，从而实现更优的温控表现。另一优势在于芯片组封装厚度得以缩减，这意味着若三星未来考虑以新命名方式重启Galaxy S26 Edge机型，便可运用此项并排式封装技术。

此外，若手机厂商希望推出更纤薄的智能机型，也可选择采用此项封装技术。不过前提是需通过下单三星2纳米GAA制程来满足其合作要求。有报道称，三星正为即将推出的Galaxy Z Flip 8测试Exynos 2600芯片，因此并排式封装技术可能不会在该款翻盖折叠屏机型中首发。由于该封装技术对追求纤薄形态的智能手机大有裨益，公司未来或可能调整产品规划。

目前尚未有消息证实Exynos 2700已进入研发阶段，但该芯片极有可能成为并排式封装技术的首批搭载者。而对于Exynos 2800这款有望成为三星首款搭载完全自研GPU的芯片，预计将采用这项全新封装技术。毕竟，该芯片预计将应用于智能手机之外的更多领域，这使得并排式封装技术的效能得以更大程度发挥。