华虹宏力申请元胞区结构及其制作方法专利，获得更小栅漏电容_前沿科技

华虹宏力申请元胞区结构及其制作方法专利，获得更小栅漏电容

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2026-01-21 17:40:34

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“元胞区结构及其制作方法”的专利，公开号CN121357952A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种元胞区结构及其制作方法，所述元胞区结构，包括：自下而上顺序形成在衬底及外延层上的阱注入、源注入和接触孔介质层，屏蔽栅介质层形成在深沟槽中，屏蔽栅多晶硅形成在屏蔽栅介质层中，第二栅多晶硅形成在屏蔽栅多晶硅上方的栅氧化介质层中，P型外延形成在屏蔽栅多晶硅两侧的深沟槽中。本发明在保持原有屏蔽栅结构基础上，能够降低因不同介质层材料导致的应力匹配问题，获得更小栅漏电容。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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