2026年2月9日，青禾晶元官网正式对外公布，其与西安电子科技大学联合技术团队在金刚石半导体材料领域取得重大技术突破，成功开发基于常温键合与H-Cut技术的金刚石薄膜高质量转移工艺，为金刚石半导体从实验室走向产业化应用扫清关键障碍。

金刚石被誉为“终极半导体材料”，凭借超高热导率、极强耐压性等优势，在高功率电子器件、量子传感等领域具有不可替代的应用价值，但长期以来受限于转移工艺瓶颈，难以实现产业化落地。

此次联合团队开发的新工艺，创新性地将离子注入剥离与晶圆键合相结合，可将高质量单晶金刚石薄膜从供体衬底完整剥离，再精准转移至硅等廉价受体衬底上。

据悉，该工艺破解了传统技术的多重痛点，不仅将金刚石表面粗糙度降低至0.2nm，远超传统方法，还将有效剥离温度降至1000℃以下，实现与现有半导体工艺的良好兼容，转移面积达90%以上且能保持材料本征性能无损，同时供体衬底可重复使用，大幅降低综合成本。

此次突破依托青禾晶元自主研发的超原子束抛光设备与常温键合设备，核心技术均为自主正向研发，形成了独特技术优势。该工艺的成功开发，有望以经济可行的方式推动金刚石半导体与现有产业工艺融合，充分发挥其散热、耐压的独特优势。

（文/集邦化合物半导体整理）

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