芯联先锋申请半导体材料氧化处理方法专利，可改善膜厚均匀性_前沿科技

芯联先锋申请半导体材料氧化处理方法专利，可改善膜厚均匀性

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2026-02-14 13:20:40

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国家知识产权局信息显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体材料的氧化处理方法及半导体结构”的专利，公开号CN121510870A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体材料的氧化处理方法及半导体结构；所述氧化处理方法包括：实施原位水汽生成工艺，所述原位水汽生成工艺通过向反应腔内输入反应气体，对所述半导体材料进行氧化处理；在所述原位水汽生成工艺过程中，使所述反应腔内的压力在第一压力P1和第二压力P2之间交替循环，其中所述第一压力P1大于所述第二压力P2；所述半导体结构包含栅极氧化层，所述栅极氧化层通过所述氧化处理方法处理而成。本申请既可改善膜厚均匀性，还能确保套刻精度。

天眼查资料显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1329244.16万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目70次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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