国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN121693255A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供键合基板，键合基板包括键合的第一基板和第二基板；从第二基板远离第一基板的第一表面朝向第一基板开设至少一个第一凹槽，第一凹槽暴露第一基板，第一基板包括被第一凹槽暴露的第一区域和以外的第二区域，位于第二区域的第一基板键合有剩余的第二基板；将晶粒键合至位于第一区域的第一基板；将晶粒键合至开设有第一凹槽的键合基板后，第三基板键合至第一支撑部，第三基板与晶粒、剩余的第二基板之间围设出空腔，使得工艺简单，效率高，同时解决边缘平坦化带来的问题，并且能够增加散热面积，可以有效提升散热效果，从而降低热量对半导体器件的性能影响，以提升半导体器件的性能。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目223次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1846条，此外企业还拥有行政许可106个。

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来源：市场资讯